Патенты

 

Интеллектуальная собственность


 

  1. Васильев В.А., Чернов П.С. Формирование гетероструктуры наноэлектромеханических систем интеллектуальных датчиков / Св-во о гос. регистрации программы для ЭВМ № 2013613887 от 17.04.2013 г.
  2. Васильев В.А., Чернов П.С. Влияние внешних факторов на характеристики наноэлектромеханических систем / Св-во о гос. регистрации программы для ЭВМ № 2013614063 от 17.04.2013 г.
  3. Васильев В.А., Чернов П.С. Преобразование сигналов в наноэлектромеханических системах / Св-во о гос. регистрации программы для ЭВМ № 2013614065 от 17.04.2013 г.
  4. Васильев В.А., Чернов П.С. Выход из строя элементов и составляющих наноэлектромеханических систем / Св-во о гос. регистрации программы для ЭВМ № 2013614064 от 17.04.2013 г.
  5. Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Громков Н.В., Кондратьев А.В. Тензорезисторный преобразователь давления на основе тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы 6Б / Св-во о гос. регистрации топологии интегральной микросхемы № 2012630048. Зарегистрировано в реестре топологий интегральных микросхем 24.04.2012 г.
  6. Патент РФ № 2572511 Способ изготовления низкочувствительной к температуре нано- и микроэлектромеханической системы датчика механических величин (Способ шифр «Титан 1»)  / Васильев В.А., Хошев А.В. // Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений РФ  10.12.2015, приоритет изобретения 13.11.2014 г. ПГУ.
  7. Патент РФ № 2572527  МПК G01L9/04, B82B 1/00 Способ изготовления датчика давления повышенной стабильности на основе нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.И., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Савинова Ю.А.  // Опубл. Бюл. № 2  от  20.01.2016 г.  Дата подачи заявки 25.11.2014 г. ПГУ.
  8. Патент РФ № 2581454  МПК G01L9/04, B82B 3/00 Способ настройки термоустойчивого датчика давления  на основе тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.И., Белозубова Н.Е., Васильев В.А. // Опубл. Бюл. № 11 от 20.04.2016 г. Дата подачи заявки 25.11.2014 г. ПГУ.

  9.  Патент РФ № 2581123 Способ изготовления нано- и микроразмерной системы датчика с заданным температурным коэффициентом сопротивления  (Способ шифр «Титан 2») / Васильев В.А., Хошев А.В. // Зарегистрировано в Государственном реестре изобретений РФ  22.03.2016, приоритет изобретения 01.12.2014 г. ПГУ.

  10. Патент РФ№ 2430342 Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом / Васильев В.А., Громков Н.В., Москалёв С.А. // МПК G 01 L9/00, Бюл. № 27 от 27.09.2011 г.
  11. Патент РФ№ 2375689 Термоустойчивый тонкоплёночный тензорезисторный датчик давления / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Громков Н.В.,Рыжова Т.Н. // МПК G 01 L9/04, Бюл. № 34 от
    10.12.2009.
  12. Патент РФ№ 2411474 Датчик давления повышенной точности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкоплёночными тензорезисторами / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.// МПК G 01 L9/04,B82B 1/00. Бюл. № 4 от 10.02.2011 г. 

  13. Патент РФ № 2427810 Датчик давления повышенной чувствительности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкоплёночными тензорезисторами / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Запевалин А.И., Чернов П.С.// МПК G 01 L9/04, B81B 7/02. Бюл. № 24 от 27.08.2011 
  14. Патент РФ№ 2432556 Датчик давления с виброустойчивой нано- и микроэлектромеханической системой / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А. // МПК G 01 L9/04, B 82 B 1/00, Бюл. № 30 от 27.10.2011 г.
  15. Патент № 2451270 МПК G01L 9/04 Полупроводниковый датчик абсолютного давления повышенной точности / Васильев В.А., Громков Н.В., Москалев С.А. Бюл. № 14 от 20.05.2012 г.
  16. Патент РФ № 2472127 МПК G01L27/00, B82B 1/00 Способ стабилизации тонкопленочной  нано- и микроэлектромеханической системы тензорезисторного датчика давления / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А. Опубл. Бюл. № 1 от 10.01.2013 г.
  17. Патент РФ № 2480723 МПК G01L 9/04, B82B 1/00 Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы повышенной точности и надежности / Васильев В.А., Хованов Д.М. Опубл. Бюл. № 12 от 27.04.2013 г.
  18. Патент РФ № 2485465 МПК G01L21/12, B82B3/00, B82Y15/00 Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой и датчик вакуума на его основе / Аверин И.А., Васильев В.А., Карманов А.А., Печерская Р.М., Пронин И.А. Опубл. Бюл. № 17 от 20.06.2013 г.
  19. Патент РФ № 2484435 МПК G01L 9/04, B82B 1/00 Способ измерения давления, способ калибровки и датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы /Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С. Опубл. Бюл. № 16 от 10.06.2013 г.
  20. Патент РФ № 2487328 МПК G01L 9/04, B82B 1/00, B82B3/00  Способ изготовления высокостабильного датчика давления на основе тонкопленочной  нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С. Опубл. Бюл. № 19 от 10.07.2013 г.
  21. Патент РФ № 2498250 МПК G01L 9/04, B82B3/00  Способ измерения давления, калибровки и датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С. Опубл. Бюл. № 31 от 10.11.2013 г.
  22. Патент РФ № 2434210 Способ стабилизации нано- и микроэлектромеханической системы  тонкоплёночного тензорезисторного датчика давления / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А. // МПК G 01 L7/00, B 81 C1/00, B 82 B 1/00, Бюл. № 32 от 20.11.2011 г.
  23. Патент РФ№ 2430343 Датчик давления на основе тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Савинова Ю.А. // ПК G 01 L9/00, B 82 B 1/00, Бюл. № 27 от 27.09.2011 г. 
  24. Патент РФ № 2506659 МПК H01L 21/20, G01L 21/12, B82B 3/00  Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности и датчик вакуума на его основе / Аверин И.А., Васильев В.А., Карманов А.А., Печерская Р.М., Пронин И.А. // Опубл. Бюл. № 4 от 10.02.2014 г. Дата подачи заявки 21.05.2012 г.
  25. Патент РФ № 2515079 МПК H01L 21/20, G01L 21/12, B82B 3/00  Способ измерения давления и датчик давления на его основе / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С. // Опубл. Бюл. № 31 от 10.05.2014 г. Дата подачи заявки 03.05.2012 г.
  26. Патент РФ № 2516375 МПК G01L9/04, B81B 3/00  Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы для прецизионных измерений / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Хованов Д.М., Чернов П.С. // Опубл. Бюл. № 14 от 20.05.2014 г. Дата подачи заявки 28.11.2012 г.
  27. Патент РФ № 2520943 МПК G01L 9/00, B82B 1/00  Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы балочного типа / Васильев В.А., Кондратьев А.В. // Опубл. Бюл. № 12 от 27.06.2014 г. Дата подачи заявки 22.10.2012 г.
  28. Патент РФ № 2391640 Тензорезисторный датчик давления на основе тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Васильева С.А., Громков Н.В., Тихонов А.И.//, МПК G 01 L9/04, B82B 3/00, Бюл. № 16 от 10.06.2010 г. 
  29. Патент РФ № 2541714  МПК G01L9/04 Высокоточный датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы / Васильев В.А., Калмыкова М.А. // Опубл. Бюл. № 5  от  20.02.2015.  Дата подачи заявки 31.10.2013 г.
  30. Патент РФ № 2539657 G01L 21/12, B82B 3/00,  B82Y 15/00 Cпособ изготовления наноструктуриророванного чувствительного элемента датчика вакуума и датчик вакуума/ Аверин И.А., Васильев В.А., Карманов А.А., Пронин И.А. // Опубл. Бюл. № 2  от  20.01.2015.  Дата подачи заявки 27.08.2013 г. 
  31. Патент РФ№ 2391641 Датчик давления тензорезистивного типа с тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системой / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Васильева С.А.// МПК G 01 L9/04, B82B 3/00, Бюл. № 16 от 10.06.2010 г.
  32. Патент РФ № 2505885 МПК H01L 21/20, G01L 21/12, B82B 3/00  Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе / Аверин И.А., Васильев В.А., Карманов А.А., Печерская Р.М., Пронин И.А. // Опубл. Бюл. № 3 от 27.01.2014 г. Дата подачи заявки 09.06.2012 г.
  33. Патент РФ№ 2395060 Частотный преобразователь сигнала разбаланса тензомоста с уменьшенной температурной погрешностью / Васильев В.А., Громков Н.В.// МПК G 01 B7/16, Бюл. № 20 от 20.07.2010 г.
  34. Патент РФ № 2396705 Частотный преобразователь сигнала разбаланса тензомоста / Васильев В.А., Громков Н.В.// МПК Н 03 К 5/00 Бюл. № 22 от 10.08.2010 г.
  35. Патент РФ№ 2397460 Датчик давления на основе тензорезисторной тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Васильева С.А., Громков Н.В. // МПК G 01 L9/04, B82B 3/00, Бюл. № 23 от 20.08.2010 г.
  36. Патент РФ№ 2397461 Тензорезисторный датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Васильева С.А.// МПК G 01 L9/04, B81B 7/02, Бюл. № 23 от 20.08.2010 г.
  37. Патент РФ№ 2398195 Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.// МПК G 01 L9/04, B82B 3/00, Бюл. № 24 от 27.08.2010 г.
  38. Патент РФ№ 2398196 Устройство для измерения давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с частотным выходным сигналом / Васильев В.А., Громков Н.В.// МПК G 01 L9/04, B81B 1/00, Бюл. № 24 от 27.08.2010 г.
  39. Патент РФ№ 2399031 Датчик давления с тонкоплёночной тензорезисторной нано- и микроэлектромеханической системой / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.// МПК G 01 L9/04, B82B 1/00, Бюл. № 25 от 10.09.2010 г.
  40. Патент РФ№ 2406985 Устройство для измерения давления с частотным выходом на основе нано- и микроэлектромеханической системы / Васильев В.А., Громков Н.В.// МПК G 01 L9/04, B82B 1/00, Бюл. № 35 от 20.12.2010 г.
  41. Патент РФ№ 2408857 Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с частотным выходным сигналом / Васильев В.А., Громков Н.В.// МПК G 01 L9/04, B82B 1/00, Бюл. № 1 от 10.01.2011 г.
  42. Патент РФ№ 2427810 Датчик давления повышенной чувствительности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкоплёночными тензорезисторами / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Запевалин А.И., Чернов П.С. // МПК G 01 L9/04, B81B 7/002, Бюл. № 24 от 27.08.2011 г.
  43. Патент РФ№ 2430342 Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом / Васильев В.А., Громков Н.В., Москалёв С.А.// МПК G 01 L9/00, Бюл. № 27 от 27.09.2011 г.
  44. Патент РФ№ 2430343 Датчик давления на основе тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Савинова Ю.А.// МПК G 01 L9/00, B 82 B 1/00, Бюл. № 27 от 27.09.2011 г.
  45. Патент РФ№ 2432556 Датчик давления с виброустойчивой нано- и микроэлектромеханической системой / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А.// МПК G 01 L9/04, B 82 B 1/00, Бюл. № 30 от 27.10.2011 г.
  46. Патент РФ № 2434210 Способ стабилизации нано- и микроэлектромеханической системы тонкоплёночного тензорезисторного датчика давления / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А.// МПК G 01 L7/00, B 81 C 1/00, B 82 B 1/00, Бюл. № 32 от 20.11.2011 г.
  47. Патент № 2451270 Полупроводниковый датчик абсолютного давления повышенной точности /Васильев В.А., Громков Н.В., Москалев С.А. // МПК G01L 9/04 Бюл. № 14 от 20.05.2012 г.
  48. Патент № 2472127 Способ стабилизации тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы тензорезисторного датчика давления / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А.// МПК G01L 27/00, B82B 1/00, Бюл. № 1 от 10.01.2013 г.
  49. Патент РФ № 2480723 Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы повышенной точности и надежности / Васильев В.А., Хованов Д.М., G 01 L 9/04, B 82 B1/00. Опубл. 27.04.2013 г., Бюл. № 12.
  50. Патент РФ № 2485465 Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой и датчик вакуума на его основе / Аверин И.А., Васильев В.А., Карманов А.А., Печерская Р.М., Пронин И.А.МПК G01L 21/12, B82B 3/00, B82Y15/00 Опубл. Бюл. № 17 от 20.06.2013 г.
  51. Патент РФ № 2487328 Способ изготовления высокостабильного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы // Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.//МПК G01L 9/04, B82B 1/00. Опубл. Бюл. № 19 от 10.07.2013 г.
  52. Патент РФ № 2484435 Способ измерения давления, способ калибровки и датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.//МПК G01L 9/04, B82B 1/00. Опубл. Бюл. № 16 от 10.06.2013 г.
  53. Патент РФ № 2488082 Способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А.,Майоров В.Ю., Чернов П.С.МПК G01L 9/04. Опубл. Бюл. № 20 от 20.07.2013 г.
  54. Патент РФ № 2498250 Способ измерения давления, калибровки и датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.//МПК G01L 9/04, B82B 3/00. Опубл. Бюл. № 31 от 10.11.2013 г.
  55. Васильев В.А., Чернов П.С. Формирование гетероструктуры наноэлектромеханических систем интеллектуальных датчиков / Св-во о гос. регистрации программы для ЭВМ № 2013613887 от 17.04.2013 г.
  56. Васильев В.А., Чернов П.С. Влияние внешних факторов на характеристики наноэлектромеханических систем / Св-во о гос. регистрации программы для ЭВМ № 2013614063 от 17.04.2013 г.
  57. Васильев В.А., Чернов П.С. Преобразование сигналов в наноэлектромеханических системах / Св-во о гос. регистрации программы для ЭВМ № 2013614065 от 17.04.2013 г.
  58. Васильев В.А., Чернов П.С. Выход из строя элементов и составляющих наноэлектромеханических систем / Св-во о гос. регистрации программы для ЭВМ № 2013614064 от 17.04.2013 г.
  59. Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Громков Н.В., Кондратьев А.В. Тензорезисторный преобразователь давления на основе тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы 6Б / Св-во о гос. регистрации топологии интегральной микросхемы № 2012630048. Зарегистрировано в реестре топологий интегральных микросхем 24.04.2012 г.
  60. Патент РФ№ 2375689 Термоустойчивый тонкоплёночный тензорезисторный датчик давления / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Громков Н.В.,Рыжова Т.Н. // МПК G 01 L9/04, Бюл. № 34 от 10.12.2009.
  61. Патент РФ № 2391640 Тензорезисторный датчик давления на основе тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Васильева С.А., Громков Н.В., Тихонов А.И.//, МПК G 01 L9/04, B82B 3/00, Бюл. № 16 от 10.06.2010 г.
  62. Патент РФ№ 2391641 Датчик давления тензорезистивного типа с тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системой / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Васильева С.А.// МПК G 01 L9/04, B82B 3/00, Бюл. № 16 от 10.06.2010 г.
  63. Патент РФ№ 2395060 Частотный преобразователь сигнала разбаланса тензомоста с уменьшенной температурной погрешностью / Васильев В.А., Громков Н.В.// МПК G 01 B7/16, Бюл.№ 20 от 20.07.2010 г.
  64. Патент РФ № 2396705 Частотный преобразователь сигнала разбаланса тензомоста / ВасильевВ.А., Громков Н.В.// МПК Н 03 К 5/00 Бюл. № 22 от 10.08.2010 г.
  65. Патент РФ№ 2397460 Датчик давления на основе тензорезисторной тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Васильева С.А., Громков
  66. Н.В. // МПК G 01 L9/04, B82B 3/00, Бюл. № 23 от 20.08.2010 г.
  67. Патент РФ№ 2397461 Тензорезисторный датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Васильева С.А.// МПК G 01 L9/04, B81B 7/02, Бюл. № 23 от 20.08.2010 г.
  68. Патент РФ№ 2398195 Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.// МПК G 01 L9/04, B82B 3/00, Бюл. № 24 от 27.08.2010 г.
  69. Патент РФ№ 2398196 Устройство для измерения давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с частотным выходным сигналом / Васильев В.А., Громков Н.В.// МПК G 01 L9/04, B81B 1/00, Бюл. № 24 от 27.08.2010 г.
  70. Патент РФ№ 2427810 Датчик давления повышенной чувствительности на основе нано- и микроэлектромеханической системы с тонкоплёночными тензорезисторами / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Запевалин А.И., Чернов П.С. // МПК G 01 L9/04, B81B 7/002, Бюл. № 24 от 27.08.2011 г.
  71. Патент РФ№ 2430342 Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом / Васильев В.А., Громков Н.В., Москалёв С.А.// МПК G 01 L9/00, Бюл. № 27 от 27.09.2011 г.
  72. Патент РФ№ 2430343 Датчик давления на основе тонкоплёночной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Савинова Ю.А.// МПК G 01 L9/00, B 82 B 1/00, Бюл. № 27 от 27.09.2011 г.
  73. Патент РФ№ 2432556 Датчик давления с виброустойчивой нано- и микроэлектромеханической системой / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А.// МПК G 01 L9/04, B 82 B 1/00, Бюл. №30 от 27.10.2011 г.
  74. Патент РФ № 2434210 Способ стабилизации нано- и микроэлектромеханической системы тонкоплёночного тензорезисторного датчика давления / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А.// МПК G 01 L7/00, B 81 C 1/00, B 82 B 1.     Пат. 2552011 МПК A61B 3/06 Устройство для контроля качества цветового зрения. /Соловьев В.А., Колокольцев М.В. опубл. 10.06.2015, Бюл.№16.
    2.     Пат. 2568330 МПК G06 3/02. Способ идентификации компонентов бензина и определения его состава в режиме реального времени. / Соловьев В.А., Щербакова А.А. -  №2014116187/08(025481); заявл.22.04.2014; опубл. 27.10.20161/00, Бюл. № 32 от 20.11.2011 г.
  75. Патент № 2451270 Полупроводниковый датчик абсолютного давления повышенной точности /Васильев В.А., Громков Н.В., Москалев С.А. // МПК G01L 9/04 Бюл. № 14 от 20.05.2012 г.
  76. Патент № 2472127 Способ стабилизации тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы тензорезисторного датчика давления / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А.// МПК G01L 27/00, B82B 1/00, Бюл. № 1 от 10.01.2013 г.
  77. Патент РФ № 2480723 Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы повышенной точности и надежности / Васильев В.А., Хованов Д.М., G 01 L 9/04, B 82 B 1/00. Опубл. 27.04.2013 г., Бюл. № 12.
  78. Патент РФ № 2485465 Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой и датчик вакуума на его основе / Аверин И.А., Васильев В.А., Карманов А.А., Печерская Р.М., Пронин И.А.МПК G01L 21/12, B82B 3/00, B82Y15/00 Опубл. Бюл. № 17 от 20.06.2013 г.
  79. Патент РФ № 2487328 Способ изготовления высокостабильного датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы // Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.//МПК G01L 9/04, B82B 1/00. Опубл. Бюл. № 19 от 10.07.2013 г.
  80. Патент РФ № 2484435 Способ измерения давления, способ калибровки и датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.//МПК G01L 9/04, B82B 1/00. Опубл. Бюл. № 16 от 10.06.2013 г.
  81. Патент РФ № 2488082 Способ изготовления датчика давления на основе тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Белозубова Н.Е., Васильев В.А., Майоров В.Ю., Чернов П.С.МПК G01L 9/04. Опубл. Бюл. № 20 от 20.07.2013 г.
  82. Патент РФ № 2498250 Способ измерения давления, калибровки и датчик давления на основенано- и микроэлектромеханической системы / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С.//МПК G01L 9/04, B82B 3/00. Опубл. Бюл. № 31 от 10.11.2013 г. 
  83. Патент 254171 С1 МПК G01L 9/00 "Высокоточный датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы" Заявка: 2013148734/28,31.10.2013 RU (11), В82В. 3/00 (2006.01) Опубликовано 20.02.2015 Бюл. №5.
  84. Пат. 2 554 083  C1 МПК H01C 17/06 (2006.01) Способ изготовления нано- и микроразмерной системы датчика физичексих величин с заданным положительным температурным коэффициентом сопротивления резистивных элементов. Заявка: 2014116189/07, 22.04.2014. Опубликовано: 27.06.2015 Бюл. № 18
  85.  Пат. 2552011 МПК A61B 3/06 Устройство для контроля качества цветового зрения. /Соловьев В.А., Колокольцев М.В. опубл. 10.06.2015, Бюл.№16.
  86. Пат. 2568330 МПК G06 3/02. Способ идентификации компонентов бензина и определения его состава в режиме реального времени. / Соловьев В.А., Щербакова А.А. -  №2014116187/08(025481); заявл.22.04.2014; опубл. 27.10.2016
  87. Патент РФ №  2608842 МПК H02P 25/06, H02P 31/00, H02N2/02 Устройство управления самочувствительным линейным пьезоэлектрическим актюатором / Бардин В.А., Васильев В.А., Громков Н.В.  // Опубл. Бюл. № 3 от 25.01.2017 г. 
  88. Патент РФ №  2619718 МПК G06Q 50/00  Система анализа и обработки информации об инновационном потенциале для управления приборостроительным предприятием / Васильев В.А., Добрынина Н.В.  // Опубл. Бюл. № 14 от 17.05.2017 г. 
  89. Патент РФ №  2622857 МПК G06F 17/00, G06Q 10/00  Система преобразования, анализа и оценки информационных признаков объекта / Васильев В.А., Добрынина Н.В.  // Опубл. Бюл. № 17 от 20.06.2017 г.  
  90. Патент РФ №  2622858 МПК G06F 17/00, G06Q 10/00  Система анализа и обработки информации об инновационном потенциале для управления приборостроительным предприятием / Васильев В.А., Добрынина Н.В.  // Опубл. Бюл. № 17 от 20.06.2017 г.  
  91. Патент РФ №  2616225 МПК H04P 17/10 Cамочувствительный многослойный пьезоэлектрический актюатор / Бардин В.А., Васильев В.А., Громков Н.В.  // Опубл. Бюл. № 11 от 13.04.2017 г.  
  92. Патент РФ №  2624773 МПК H02N2/02 Усиливающий пьезоэлектрический актюатор повышенной точности позиционирования / Амельченко А.Г., Бардин В.А., Васильев В.А., Царев П.С.  // Опубл. Бюл. № 19 от 06.07.2017 г.  
  93. Патент РФ №  2628474 МПК G06F17/00, G06Q10/00 Способ оценки информации о системе с настройкой на основе адаптивной модели и устройство для его реализации/ Васильев В.А., Добрынина Н.В.  // Опубл. Бюл. № 23 от 17.08.2017 г. 
  94. Патент РФ №  2631424 МПК H02М 5/17, G01R 23/09, G01D7/00  Универсальный модуль частотного интегрирующего развертывающего преобразователя для датчиков физических величин/ Васильев В.А., Громков Н.В., Жоао А.Ж.  // Опубл. Бюл. № 27 от 22.09.2017 г.  
Дата создания: 29.03.2016 13:01
Дата обновления: 22.05.2019 13:04